海力士成功研發(fā)世界最高性能移動DRAM
時間：2009-05-07 12:32:00
來源：UltraLAB圖形工作站方案網站
人氣：10903
作者：admin
Hynix（海力士）半導體成功研發(fā)采用54納米技術的世界最高性能的1Gb移動低電雙倍速率(LPDDR2)動態(tài)隨機存儲器(DRAM)產品。Hynix表示，該產品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實現(xiàn)1066Mbps超高速數據傳輸速度的移動DRAM，在工藝技術、電壓、速度方面具備世界最高性能。
據介紹，該產品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作，接近于現(xiàn)有的1.8伏移動DRAM的50%，并且僅為PC DDR2產品的30%。這意味著，1秒內下載5、6部普通長度的電影成為可能，堪稱世界最高水平的數據傳輸速度。
韓聯(lián)社表示，該產品待機耗電量低，又具有很高的速度，適合超移動電腦(UMPC)、便攜式媒體播放器(PMP)、手機等移動互聯(lián)網設備、上網筆記本電腦、高性能智能手機等，還可提供符合相關產品的”單芯片解決方案”功能。
Hynix計劃今年第三季度開始生產新產品，明年初推出40納米級LPDDR2產品，并在明年將其在移動LPDDR2市場的份額擴大30%以上。
目前Hynix半導體是世界第二大DRAM制造商。
